/ TOF-SIMS

SPECTROMÉTRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES EN TEMPS DE VOL (TOF-SIMS)

Le TOF-SIMS est l’une des techniques analytiques les plus puissantes pour analyser les solide car, elle permet : de faire de l’analyse chimique et d’imager un l’échantillon, de détecter de très faibles quantités d’éléments et de molécules (ppb) et de creuser pour mesurer un profil de concentration.

En pratique la méthode consiste à bombarder la surface de l’échantillon avec un faisceau d’ions primaires (typiquement de gallium ou de bismuth) et à analyser les ions secondaires éjectés par pulvérisation. En mesurant la masse sur la charge des ions secondaires et leur temps de vol entre l’échantillon et le détecteur, il est possible de déterminer la composition élémentaire et la structure chimique des couches supérieures de l’échantillon

Paramètres d’analyse

Matériaux analysables: Solides organiques et inorganiques
Type d’information obtenue: moléculaire et élémentaire
Précision: Semi-quantitatif
Limite de détection: Parties par milliard (ppb)
Profondeur d’analyse: premières couches atomiques avec possibilité de faire des profils sur plusieurs microns
Plus petite zone analysable: 1 micron de diamètre

Utilisation

TOF-SIMS

-Analyse de surface de matériaux organiques et    inorganique
-Identification de contaminants de surface
-Cartographie de surface
-Profil en profondeur

 

Avantages:
Analyse élémentaire et moléculaire
Analyse de surface et possibilité de creuser
Imagerie et cartographie chimique

Désavantages:
Analyse semi-quantitative
Mesure et analyse des résultats relativement longue et coûteuse
Méthode sous vide

-Analyse de contamination dans l’industrie électronique

-Cartographie chimique de minerai

-Détection et Identification de traces de graisse sur des contenants

Éléments détectés : Hydrogène – uranium, tous les isotopes

Résolution/sensibilité : 0.0001 uma, 108 – 1011 at/cm2 (ppb)

Résolution en profondeur : 1 – 3 monocouches

Résolution latérale : ≥ 100 nm

Autres caractéristiques : Cartographie, profil en profondeur,

Température de mesure = -196 à +600o C

Manufacturier : IONTOF

Modèle : TOF-SIMS IV

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