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SONDE IONIQUE FOCALISÉE / MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE (FIB/MEB)

Le FIB projette un faisceau d’ions focalisé (Ga+) sur un échantillon pour effectuer du microusinage en pulvérisant les atomes de la surface suivante un patron pré-établi. De plus, l’énergie du faisceau peut aussi être utilisée pour déposer sélectivement des matériaux (platine ou oxyde de silicium).

Comme l’appareil est doté aussi d’un microscope électronique, la visualisation des structures ou des coupes est possible en cours de réalisation. Les détecteurs permettent de faire l’imagerie des surfaces exposées grâce aux ions et aux électrons secondaires émis.

Utilisation

-Coupe pour observation au MEB ou TEM

-Modifications de circuits intégrés

-Micromachinage

-Dépôts sélectifs

Avantages:
-Permet d’usiner de très petites sections
-Imagerie et usinage dans le même appareil

Désavantages:
-Travail sous vide

-Coupe de conducteurs sur circuits imprimés
-Dépôt de nouvelles connexions de façon locale
-Fabrication de cristaux photoniques

-Manufacturier : FEI Strata
-Modèle : DB-235

-Résolution latérale : ≥ 3 nm (électrons),≥ 7 nm (ions)
-Autres caractéristiques : Imagerie, dépôt local (Pt, TEOS), gravure sélective des oxydes
-Source d’ions : Ga
-Source d’électrons : émetteur à effet de champ de type Schottky

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