/ Pulvérisateur/Évaporateur à canon d’électron

SYSTÈME DE PULVÉRISATION ET ÉVAPORATION À CANON D’ÉLECTRONS

Ce système est spécifiquement dédié aux dépôts de métaux en couches minces (1nm à quelques microns). Il comprend une chambre à vide dans laquelle sont installées d’une part une source d’évaporation par faisceau d’électrons (e-beam évaporation, six creusets), et d’autre part trois cibles de quatre pouces de diamètre pour la pulvérisation magnétron. Un sas permet de transférer les échantillons rapidement dans la chambre de dépôt. Cet appareil permet de déposer des couches de bonne qualité avec un bon contrôle sur l’épaisseur et une excellente uniformité.

Utilisation

-Dépôt de métaux en couches minces par évaporation par faisceau d’électrons

-Dépôt de métaux par pulvérisation

 

 

 

 

Substrats : Semiconducteurs, metaux, polymères
Dimensions d’échantillons : parcelles à gaufres complètes de 100 mm de diàmètre
Temps de pompage : 10 min
Base pressure : 1×10-7 torr
Température du porte-substrat : jusqu’à  200 °C
Pre-traitement des surfaces par plasma possible
 
Évaporation
Nombre de creusets d’évaporation : 6
Distance crucet – porte échantillon : 18 in
Contrôle de l’épaisseur : <1% error
Non uniformité maximale en épaisseur : 1% max sur 100 mm
Taux de dépôt : 0.5 – 3 Angströms / s
 
Pulvérisation
Nombre de cibles : 3
Dimension des cibles : 4 in. diameter
Précision de l’épaisseur : 5%
Distance cible – porte échantillon : 5 pouces
Gaz disponibles : Ar, N2, O2
Possibilité de codéposer des alliages en utilisant 2 cibles
Manufacturier : fait maison

S'inscrire à notre infolettre mensuelle et/ou suivre notre flux rss.