Description

Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) sert à déposer sur un substrat des couches minces provenant d’un plasma de gaz réactifs. Le plasma est souvent généré par fréquence RF ou par décharge DC entre deux électrodes entre lesquelles sont situés les gaz réactifs. Le PECVD est très utilisé dans l’industrie du semiconducteur pour déposer des films métalliques sur des plaquettes. Un autre type de couche souvent déposé par PECVD est le nitrure de silicium, formé à partir de silane et d’ammonium ou d’azote.

Utilisations Dépôt de films Dépôt de couches minces de nitrures de silicium et d’oxydes de silicium

Spécifications techniques

Diamètre du porte-échantillon :	10-20 cm (selon l’appareil)
Température du porte-échantillon :	-20 0C à 600 0C
Gaz disponibles :	SiH4, N2, O2, H2, Ar, NH3, HMDSO, TiCl4, CH4, etc
Pression de base :	5 x 10-6 torr