Les dopants sont des éléments implantés dans des semiconducteurs pour en modifier les propriétés électriques, structurelles ou optiques. Un dopage avec les techniques modernes telles que l’implantation ionique ou des sources solides peut prendre de quelques secondes à plusieurs jours, dépendant de la concentration désirée, du matériau, du type d’éléments implantés, etc. De façon générale, les concentrations visées se situent autour des parties par million. La distribution et la concentration des dopants déterminent en grande partie les propriétés électriques du matériau.

GCM Lab dispose de puissants accélérateurs pour implanter des ions dans une vaste gamme de matériaux. GCM Lab offre aussi des services avancés de caractérisation des dopants, que ce soit pour connaître la concentration, le profil de distribution ou simplement la nature du dopant. Faites-nous part de vos attentes, et nous ferons tout pour les surpasser!

Techniques de fabrication et de mesure

• Implanteur 200 kV, faisceau radioactif
• Accélérateurs 1.7 MV et 6 MV
• Spectroscopie de masse des ions secondaires en temps de vol (TOF-SIMS)
• Spectroscopie photoélectronique des rayons X (XPS)
• Détection par recul élastique (ERD)
• Spectrométrie de Rutherford (RBS)