Description
L’acronyme ECR-PECVD signifie Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Le PECVD produit un plasma de haute densité qui sert à déposer des couches minces à une température relativement basse. La couche mince se forme à partir d’un gaz qui devient solide sur un substrat.
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Utilisations
- Dépôt de couches minces
- Dépôt de SiO2 pour fabrication de guides d’onde
- Dépôt de Si3N4 pour la passivation
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Spécifications techniques
| Substrats permis : |
Semiconducteurs, métaux, plastiques |
| Porte-échantillon : |
4 po de diamètre |
| Temps de pompage : |
10 min |
