Description

Le FIB projette un faisceau d’ions focalisé (Ga+) sur un échantillon pour effectuer du micromachinage en pulvérisant les atomes de la surface suivant un patron pré-établi. L’énergie du faisceau peut aussi être utilisée pour déposer sélectivement des matériaux (platine ou oxyde de Silicium). Les détecteurs permettent de faire l’imagerie des surfaces exposées grâce aux ions et aux électrons secondaires émis.

Le FIB se révèle très utile pour préparer des coupes d’échantillons pour analyse subséquente avec des techniques de microscopie comme le SEM, STEM ou TEM, EDX. Le FIB permet aussi de modifier des circuits intégrés (coupe de conducteurs, dépôt de nouvelles connexions de façon locale) ou de micromachiner des surfaces (fabrication de cristaux photoniques par exemple).

L’appareil étant doté aussi d’un microscope électronique monté à angle avec la colonne ionique, la visualisation des structures ou des coupes est possible en cours de réalisation.

Utilisations Coupes d’échantillons Micromachinage et imagerie sur un seul appareil Imagerie à haute résolution Préparation de tranches pour le TEM Edition et correction de circuit

Spécifications techniques

Résolution latérale :	≥ 3 nm (électrons),≥ 7 nm (ions)
Autres caractéristiques :	Imagerie, dépôt local (Pt, TEOS), gravure sélective des oxydes
Manufacturier :	FEI Strata
Modèle :	DB-235
Source d’ions :	Ga
Source d’électrons :	émetteur à effet de champ de type Schottky