Description

Le recuit rapide, ou Rapid thermal anneal en anglais, est un procédé utilisé en fabrication de semiconducteurs qui consiste à chauffer une plaquette (wafer) pour en modifier les propriétés structurelles. Les traitements thermiques peuvent servir à activer des dopants, relaxer des contraintes, diffuser des matériaux à l’interface, cristalliser une couche amorphe, etc. Le Heatpulse 410 est un four contrôlé par ordinateur pour effectuer des recuits rapides sur des échantillons. L’échantillon est placé sur un plateau en quartz qui coulisse dans le four. Deux rangées de lampes, l’une sous le plateau et l’autre au dessus, fournissent l’énergie nécessaire pour chauffer l’échantillon. Les parois du four sont couvertes par un revêtement réflecteur qui limite les pertes thermiques et améliore l’uniformité de la température pendant le recuit.

Utilisations Activer des dopants Diffuser des matériaux à l’interface Relaxer des contraintes Modifier la microstructure des couches minces (cristallisation, densification, élimination des défauts, etc.)

Spécifications techniques

Substrats permis :	Semiconducteurs, métaux, diélectriques inorganiques
Porte-échantillon :	4 po de diamètre
Gamme de température en régime stable :	400-1150 °C (max 1350 °C)
Temps de cycle en régime stable :	1-300 s
Gaz UHP pour la purge :	O2, N2, Ar
Stabilité de la température :	+ 7 °C
Contrôle de la température :
- Au dessus de 800 °C :	Pyromètre optique
- Au dessous de 800 °C :	Thermocouple
Vitesse de chauffage :	220 °C/s (contrôlable pour 10-300 °C/s)
Vitesse de refroidissement :	< 80 °C/s (dépend de la température)
Non-uniformité du flux radiatif :	< + 0.25%
Manufacturier :	AG Associates
Modèle :	Heatpulse 410