| Nom du procédé | Taille échantillon | Caractéristiques | Équipement(s) concerné(s) |
|---|---|---|---|
| Gravure SiO2 | Morceau 5x5mm à plaque 4 pouces | Gravure BOE (7V NH4F 40% + 1V HF49%). Vitesse de gravure SiO2th ~ 750A/min. Masque : S1813, SPR220 7.0 |
non disponible |
| Gravure anisotrope Si crystalin | Morceau 5x5mm à plaque 4 pouces | Gravure TMAH 25%. Température d'utilisation : 90°C. Vitesse de gravure : 0,670µm/min du plan 100. Masque : SiO2th. Vitesse de gravure SiO2th ~ 1,2A/min |
non disponible |
