Gravure profonde par ions réactifs (DRIE-ICP)

Description

La gravure profonde par ions réactifs est un procédé de gravure fortement anisotropique pour créer des trous dans une plaquette (wafer) ou d’autres matériaux. Sa force réside dans le grand « aspect ratio », jusqu'à 30:1 ou plus, qu’il permet d’obtenir. Le DRIE se caractérise par une haute densité de plasma, une faible pression lors du procédé, une vitesse de gravure élevée et une belle uniformité de gravure. La DRIE est très utilisée pour la fabrication de MEMS.

Utilisations

  • Gravure profonde

Spécifications techniques

  Cryo Bosch
Matériaux gravés : Si Si
Masques : PR, SiO2, Cr PR, SiO2, Cr
Gaz : SF6, O2 SF6, O2, C4F8
Vitesse de gravure : > 2.5 µm/min > 2 µm/min
Sélectivité : > 75 :1 pour résine positive, > 150 :1 pour SiO2, ~infinie pour Cr
Uniformité : <±5% sur plaque 4 pouces N/A
Reproductibilité : <±4% <±5%
Profil : 90° ± 1° 90° ± 1°
Aspect Ratio : Jusqu’à 30 :1 Jusqu’à 30 :1
   
Manufacturier : Oxford
Modèle : Plasmalab System 100 ICP 180