Gravure sèche

Nom du procédé Taille échantillon Caractéristiques Équipement(s) concerné(s)
Gravure SiO2 Morceau 5x5mm à plaque 6 pouces Gravure RIE.
Gaz utilisés : CHF3 + O2.
Vitesse de gravure ~ 500A/min,
Masque : Cr 800A.
Sélectivité/Cr ~ infinie.
Profil de gravure ~90°
Gravure par ions réactifs (RIE)
Gravure Si isotrope Morceau 5x5mm à plaque 4 pouces Gravure DRIE ICP.
Gaz utilisés : SF6.
Vitesse de gravure ~ 6µm/min.
Masques : Cr, SiO2, S1813, SPR220 3.0.
Sélectivité ~ infinie pour tous les masques.
Gravure profonde par ions réactifs (DRIE / ICP)
Gravure Si anisotrope Morceau 5x5mm à plaque 4 pouces Gravure DRIE ICP par procédé Bosch.
Gaz utilisés: SF6, C4F8, O2.
Masques : Cr, S1813, SPR220 3.0 et 7.0.
Vitesse de gravure variable ~ 1µm/min.
Sélectivité/Cr ~ infinie, sélectivité/résine variable ~1:40.
Profil de gravure ~90°.
Aspect ratio possible : 1:30.
Gravure profonde par ions réactifs (DRIE / ICP)