/ Gravure profonde (DRIE-ICP)

GRAVURE PROFONDE PAR IONS RÉACTIFS (DRIE-ICP)

La gravure profonde par ions réactifs, est un procédé de gravure fortement anisotropique qui permet de  créer des motifs tridimensionnels dans une plaquette (wafer) ou d’autres matériaux. Sa force réside dans le grand rapport de forme réalisable soit jusqu’à 30:1. Le DRIE se caractérise par une haute densité de plasma, une faible pression lors du procédé, une vitesse de gravure élevée et une bonne uniformité de gravure. La DRIE est très utilisée pour la fabrication de MEMS.

Utilisation

-Gravure profonde du silicium

File13

 

 

Échantillons : plaquettes jusqu’à 6 pouces de diamètre

Manufacturier : Oxford Instruments

Modèle : Plasmalab System 100

Procédé :                Cryo                         Bosch
Matériau : Si Si
Masques : PR, SiO2, Cr PR, SiO2, Cr
Gaz : SF6, O2 SF6, O2, C4F8
Taux de gravure: > 2.5 µm/min > 2 µm/min
Sélectivité : > 75 :1 pour résinepositive, > 150 :1 pour SiO2, ~infini pour Cr
Uniformité : <±5% on 4 in. wafers N/A
Reproductibilité: <±4% <±5%
Profil : 90° ± 1° 90° ± 1°
Rapport de forme : Up to 30 :1 Up to 30 :1
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