/ Four à recuit rapide (RTA)

FOUR À RECUIT RAPIDE (RTA)

Le recuit rapide, ou Rapid thermal anneal en anglais, est un procédé utilisé en fabrication de semiconducteurs qui consiste à chauffer une plaquette (wafer) pour en modifier les propriétés structurelles. Les traitements thermiques peuvent servir à activer des dopants, relaxer des contraintes, diffuser des matériaux à l’interface, cristalliser une couche amorphe, etc.

Utilisation

-Activer des dopants

-Diffuser des matériaux à l’interface

-Relaxer des contraintes

-Modifier la microstructure des couches minces (cristallisation, densification, élimination des défauts, etc.)


Manufacturier : AG Associates
Modèle : Heatpulse 410

Substrats permis:                          Semiconducteurs, métaux, diélectriques inorganiques
Porte-échantillon:                          4 po de diamètre
Gamme de température en régime stable: 400-1150 °C (max 1350 °C)
Temps de cycle en régime stable: 1-300 s
Gaz UHP pour la purge:                 O2, N2, Ar
Stabilité de la température:          +/- 7 °C
Contrôle de la température:
– Au dessus de 800 °C : Pyromètre optique
– Au dessous de 800 °C : Thermocouple
Vitesse de chauffage:                      10 à 300 °C/s
Vitesse de refroidissement:           < 80 °C/s

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