/ Lithographie par faisceau d’électrons

La lithographie par faisceau d’électrons est une technique qui permet de dessiner des motifs jusqu’à des résolutions de l’ordre de quelques nanomètres dans une résine mince prééatalée sur l’échantillon.

Le système fonctionne en écriture directe, utilisant des motifs CAD ou préétablis dans le logiciel. Divers modes permettent de dessiner à très haute résolution ou sur les plan continus.

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Description technique

Modèle : Raith e-line

Dimensions du faisceau:  moins de 2 nm à 20 kV
Energie du faisceau:  100eV à 30 KeV
Courants de faisceau: 20 pA à 20 nA
Largeur mininum de lignes: 20nm (résine PMMA950)
Accessoire : mode FBMS (fixed beam moving stage)  pour la réalisation de longues structures sans coupures.
Dimension maximale des échantillons : 10cm
Épaisseur maximale des échantillons : 2mm

Résines disponibles:
PMMA 495 A4
PMMA 950 A2
Copolymer PMMA EL 9
Ma-N 2403

 

 

 

 

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