GRAVURE PAR IONS RÉACTIFS (RIE)
La gravure par ions réactifs (ou RIE reactive ion etching) est utilisée pour décaper une couche de surface sur un échantillon ou pour graver un matériau protégé par des étapes préalable de lithographie pour sa mise en forme. Le choix des gaz utilisés, ainsi que les pression et la puissance du plasma, permettent le contrôle des paramètres de gravure des matériaux.
Type de plasma: RF
Puissance maximale du plasma: 300W
Gaz de gravure disponibles: SF6, O2, N2, Ar, He, CF4, C4F8, CHF3
Type de matériaux pouvant être gravés: Si, SiO2, SiN, matériaux organiques (résine, parylène …)
dimensions des échantillons: quelques mm jusqu’à gaufre de 200 mm
