Description

Cette technique d’analyse de surface consiste à bombarder la surface de l’échantillon avec un faisceau d’ions primaires (typiquement de gallium ou de bismuth) et à analyser les ions secondaires éjectés par pulvérisation. En mesurant la masse sur la charge des ions secondaires et leur temps de vol entre l’échantillon et le détecteur, il est possible de déterminer la composition élémentaire et la structure chimique des couches supérieures de l’échantillon.

Utilisations Analyse de surface de matériaux organiques et inorganiques Identification de contaminants de surface Cartographie de surface Profil en profondeur

Spécifications techniques

Éléments détectés :	Hydrogène - uranium, tous les isotopes
Résolution/sensibilité :	0.0001 uma, 108 – 1011 at/cm2 (ppb)
Résolution en profondeur :	1 – 3 monocouches
Résolution latérale :	≥ 100 nm
Autres caractéristiques :	Cartographie, profil en profondeur, T = -196 – +600 oC
Manufacturier :	IONTOF
Modèle :	TOF-SIMS IV