Description

Ce système est spécifiquement dédié aux dépôts de métaux en couches minces (1nm à quelques microns). Il comprend une chambre à vide dans laquelle sont installées d’une part une source d’évaporation par faisceau d’électrons (e-beam evaporation, six creusets), et d’autre part trois cibles de quatre pouces de diamètre pour la pulvérisation magnétron. Un sas permet de transférer les échantillons rapidement dans la chambre de dépôt. Cet appareil permet de déposer des couches de bonne qualité avec un bon contrôle sur l’épaisseur et une excellente uniformité.

Utilisations Dépôt de métaux en couches minces par évaporation Dépôt de métaux par pulvérisation

Spécifications techniques

Général

Substrats permis :	Semiconducteurs, métaux, plastiques
Porte-échantillon :	4 po de diamètre
Temps de pompage :	10 min
Pression de base :	1x10-7 torr
Température du porte-substrat :	jusqu’à 200 °C
Possibilité de prétraiter la surface des échantillons par plasma Évaporation
Nombre de creusets :	6
Volume des creusets :	15 cm3
Distance creuset porte-substrat :	18 po
Contrôle sur l’épaisseur :	<1% d’erreur
Non-uniformité max. sur épaisseur :	1% pour une gaufre de 4 po
Taux de dépôt :	0.5 - 3 Angströms / s
Pulvérisation
Nombre de cibles :	3 cibles
Dimension des cibles :	4 po de diamètre
Précision sur l’épaisseur :	5%
Distance cible porte-substrat :	5 po
Gaz disponibles :	Ar, N2, O2
Possibilité de codéposer des alliages à partir de deux cibles
Manufacturier :	Fait maison
Modèle :	Fait maison